AO4430场效应管规格：

    FET 类型：N 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：30V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：18A（Ta）

    驱动电压（ Rds On， Rds On）：4.5V，10V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：5.5 毫欧 @ 18A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：2.5V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：124nC @ 10V

    Vgs（值）：±20V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：7270pF @ 15V

    FET 功能：-

    功率耗散（值）：3W（Ta）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：8-SOIC

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    漏极D、源极S及类型的判定：

    用万用表RxlokD,挡测量D极与S极之间正、反向电阻值，正向电阻值约为0.2x10kfl，反向电阻值在(5—∞)x10kfl。在测反向电阻时，红表笔所接引脚不变，黑表笔脱离所接引脚后，与G极触碰一下，然后黑表笔去接原引脚，此时会出现两种可能：

    ①若万用表读数由原来较大阻值变为零，则此时红表笔所接为S极，黑表笔所接为D极。用黑表笔触发G极有效(使功率场效应管D极与S极之间正、反向电阻值均为012)，则该场效应管为N沟道型。

    ②若万用表读数仍为较大值，则黑表笔接回原引脚不变，改用红表笔去触碰G极，然后红表笔接回原引脚，此时万用表读数由原采阻值较大变为0，则此时黑表笔所接为S极，红表笔所接为D极。用红表笔触发G，极有效，该场效应管为P沟道型。

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