AO4456场效应管规格：

    FET 类型：N 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：30V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：20A（Tc）

    驱动电压（ Rds On， Rds On）：4.5V，10V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：4.6 毫欧 @ 20A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：2.4V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：95nC @ 10V

    Vgs（值）：±12V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：5185pF @ 15V

    FET 功能：肖特基二极管（体）

    功率耗散（值）：3.1W（Ta）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：8-SOIC

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    功率场效应管的主要参数：

    功率MOSFET的主要参数有额定电压(VDSS)、额定电流(ID)、导通电阻(Rdds(on))、栅一源极导通阈值电压(Vth)和额定耗散功率(PD)以及栅极电荷(Gg)。

    额定电压（VDSS）：在MOSFET的数据表(datesheet)中，额定电压（VDSS）是指在栅一源极电压为零、室温的状态下，MOSFET可以持续承受的电压。

    需要注意的是，额定电压(VDSS)不是MOSFET的漏一源极之间的击穿电压(VB)，而是略低于击穿电压，通常为击穿电压的0.9~0.95。MOSFET的漏一源极之间的击穿电压(VB)随结温而上升，耐压越高的MOSFET变化越大。在大多数情况下，MOSFET不宜应用于击穿电压(VB)的状态，但是现在的MOSFET具有雪崩击穿耐量，也就是说，现在的MOSFET在一定条件下可以工作在雪崩击穿状态，只要雪崩击穿能量不超过其雪崩击穿耐量即可。这个特点是其他半导体器件（除稳压二极管外）所不具备的。

    

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