AO4600场效应管规格：

    FET 类型：N 和 P 沟道

    FET 功能：标准

    漏源电压（Vdss）：30V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7.5A (Ta), 5.6A (Ta)

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：23 毫欧 @ 7.5A, 10V, 42 毫欧 @ 5.6A, 10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：1.5V @ 250?A, 1.3V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：12nC @ 4.5V, 12.2nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：1100pF @ 15V, 1200pF @ 15V

    功率 - 值：2W

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    场效应管作用：

    1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

    2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

    3.场效应管可以用作可变电阻。

    4.场效应管可以方便地用作恒流源。

    5.场效应管可以用作电子开关。

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