AO4421
AOS
贴片
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
企业名:深圳市创芯联盈电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 15915459078
手机:15915459078
联系人:joanna李小姐
微信:
邮箱:2881793583@cxlydz.com
地址:广东深圳深圳市福田区华能大厦中区2312-2313室
∟ MOSFET(396)
AO4421场效应管结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,可提供极低的RDS(ON)。 该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。
AO4421场效应管参数:
FET 类型:P 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.2A(Ta)
驱动电压( Rds On, Rds On):4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值):40 毫欧 @ 6.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值):55nC @ 10V
Vgs(值):±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值):2900pF @ 30V
FET 功能:-
功率耗散(值):3.1W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:8-SOIC
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法:
用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压信号加到栅极上。这样,由于管的放大作用,漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化,也就是漏源极间电阻发生了变化,由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表针不动,说明管是坏的。
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