TOSHIBA/东芝
K4111 2SK4111
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
LMP-C/阻*变换
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
600（V）
600（V）
10（μS）
1500（pF）
企业名：彭志毫
类型：经销商
电话： 86 0755 82719303
手机：13760241411
联系人：彭志毫
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 高科德交易中心12318
标准包装 500
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏*至源*电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 10A
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 750 毫欧 @ 5A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（*大） 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 42nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1500pF @ 25V
功率 - *大 45W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
供应商设备封装 TO-220NIS
包装 散装
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
