K4111 2SKV10A45W 场效应管 *原装

品牌/商标：
TOSHIBA/东芝
型号/规格：
K4111 2SK4111
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
LMP-C/阻*变换
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
GE-N-FET锗N沟道
开启电压：
600（V）
夹断电压：
600（V）
跨导：
10（μS）
*间电容：
1500（pF）

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其他未分类(14)

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商品信息

标准包装 500
类别分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点标准型

漏*至源*电压(Vdss) 600V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 10A

开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 750 毫欧 @ 5A, 10V

Id 时的 Vgs(th)（*大） 4V @ 1mA

闸电荷(Qg) @ Vgs 42nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1500pF @ 25V

功率 - *大 45W

安装类型通孔

封装/外壳 TO-220-3 整包

供应商设备封装 TO-220NIS

包装散装