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K4111 2SKV10A45W 场效应管 *原装

K4111 2SKV10A45W 场效应管 *原装
K4111 2SKV10A45W 场效应管 *原装
  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    K4111 2SK4111

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    LMP-C/阻*变换

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 开启电压:

    600(V)

  • 夹断电压:

    600(V)

  • 跨导:

    10(μS)

  • *间电容:

    1500(pF)

普通会员
  • 企业名:彭志毫

    类型:经销商

    电话: 86 0755 82719303

    手机:13760241411

    联系人:彭志毫

    地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 高科德交易中心12318

商品信息



标准包装 500
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏*至源*电压(Vdss) 600V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 10A
 
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 750 毫欧 @ 5A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 1mA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 42nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  1500pF @ 25V
 
功率 - *大 45W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3 整包
 
供应商设备封装 TO-220NIS
 
包装 散装



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联系方式

企业名:彭志毫

类型:经销商

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