产品详细参数：

20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N-沟道增强型MOS

 

VDS= 20V

 

RDS(ON), , = 38mΩ

 

RDS(ON), , = 30mΩ

 

Features特性

 

Advanced trench process technology的加工技术

 

High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance极低的导通电阻高密度的单元设计

 

High Power and Current handing capability大功率、大电流

Ideal for Li ion battery pack applications理想的锂电池应用

关于我们： 

深圳市永吉茂科技有限公司，专营低压MOS贴片。原厂原装，台产价格，。

 

SOT-23封装系列： 3416等等

 

SOP-8封装系列：等等

 

DC-DC系列：等

 

可替代萬代 仙童 威士等国际品牌！！！

 

：陈壮辉

销售：-805   13714146305

传真：-805

 

 

企业名：深圳市永吉茂科技有限公司

类型：生产企业

电话： 0755-83742865
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联系人：彭吉军

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