半导体制造商ROHM 株式会社（总部设在京都），*近开始了肖特基势垒二*管（*D）“SCS110A 系列”
的量产，本系列产品采用了因低功耗、高耐压而有望成为下一代功率元件材料的SiC（Silicon carbide：碳
化硅）。“SCS110A 系列”产品与其他公司已经量产的SiC-*D 相比，在正向电压和动作时阻*等特性上有
很大的*，可以广泛应用于电动汽车/混合动力车等进行电源转换的变压器、转换器、PFC 电路（功率因
数校正电路）等领域和其他可能的领域。
本系列新产品已在2010年4月下旬开始量产和销售，我们将视市场需求情况逐步扩大生产。生产基地定于晶
圆在SiCrystal 公司（德国埃尔兰根市）制造，前期工序在ROHM Apollo Device Co.,Ltd.（福冈县），后期工
序在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰国）进行。
*近，在电力电子技术领域，电源转换时半导体元件所带来的功耗已成为一个问题，从*角度出发，行
业也在以进一步降低功耗为目标，不断进行材料特性比硅材料更*的SiC 功率元件的开发研究。在这种
趋势下，2004年ROHM *采用SiC 成功试制出MOSFET 产品，并成功试制出采用了*D 和这些元件的
功率模块，在行业中*先推进了SiC 元件/模块的研究和开发。SiC-*D 从2005年开始销售工程样品，结合
客户的反馈，我们不断努力**性和*生产性。此外，为了**的SiC 晶圆，ROHM 收购了
德国SiCrystal 公司，以建立SiC 元件的*生产体系。
本次开始量产的“SCS110A 系列”产品的反向恢复时间（trr）是15nsec，与以往的硅材料*二*管
（35nsec 50nsec）相比大幅缩短，恢复过程中的损失减少到约三分之一。因此，变压器、转换器、PFC 电
路中如果采用本系列产品，可以大大降低损耗，从而减少发热量。此外，相比硅材料*二*管（FRD），
由于其温度变化时的特性变化*小，散热片小型化等可望效果显著。另外，和以往的SiC-*D 相比较，具
有反向恢复时间显著*、芯片尺寸减小15％左右等优势。
本系列产品的量产，解决了肖特基势垒的均一性、高温处理中形成不*要的高*保护环层等SiC 元件的课
题，并且确立了*生产体制。
另外，本系列产品与已经量产的以往SiC-*D 产品相比，工作时阻*更小、正向电压更低（VF = 1.5V（标
称值）10A 时），温度特性得到*，实现了比以往产品都高的效率。
ROHM 将SiC 元件业务视为下一代半导体业务的*技术之一，今后将继续推进*D 的进一步高耐压化，
强化大电流产品阵容，扩展搭载MOSFET 和SiC 元件的IPM（智能功率模块）等SiC 相关产品阵容并实
现量产化。

代理产品线：
  ROHM（罗姆）半导体：电源管理IC；MOSFET；晶体管（包括：双*晶体管，复合晶体管，数字晶体管）；二*管（包括：肖特基，齐纳二*管，TVS管，开关二*管，高频二*管，*合JEDEC标准及欧洲标准二*管）；钽电容，*电阻；LED灯，LED显示器；电源模块，热敏打印头等。
   SANYO(三洋)半导体:马达驱动IC,汽车音响IC,二*管,晶体管,MOSFET.
  HTC Korea公司：电压稳压器（TL431)，调压器(LM78/79L,LM317),LDO稳压器，开关稳压器（LM2596/LM2576/2575）。
  韩国KEC半导体：三*管,二*管,MOSFET,IGBT,LDO线性稳压器及三端稳压。 
  HEC(禾伸堂企业有限公司):VAC -薄型化电容- X7R/X5R/Y5V; HCC -高容电容; HVC-高压电容HCX -高容X7R电容; HCY- Y5U特性电容。
优势品牌：
  ONsemi(安森美)半导体：专营变频电源，音响电源方面*的二*管（肖特基，快恢复，稳压管等全系列），晶体管，MOSFTs,电压参考，低压差线性稳压器，集成电路IC等。
 InternationalRectifier（国际整流IR）：二*管，场效管，MOSFET。
     VISHAY（威世）半导体:专营变频电源*陶瓷二*管(如:SF1600,BYC26E等）.
公司理念：取名“时佳”，本着珍惜客户给我的每分每秒，抓住有利时机，想客户之所想，急客户之所急，*快速地完成客户所托为中国电子制造业提供优质服务！公司本着“诚信为尚，积**，*快速，团结协作，勤奋进取，谦虚细心”的企业文化，注重规化管理，倡导以人为本；努力营造和谐共创，互助合作，积*向上，*快捷的工作氛围。拥有一大批长期从事IC行业技术，销售，服务的*骨干。为了实现能给客户提供更多的增值服务，我们将努力不懈自我*。力求成为中国元器件产品*售服务行业的先行者。

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