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场效应管 P-MOS P沟道 RSD046P05

场效应管 P-MOS P沟道 RSD046P05

场效应管 P-MOS P沟道 RSD046P05

型号/规格：
RSD046P05
品牌/商标：
ROHM（罗姆）
封装形式：
TO-252
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
贴片式
包装方式：
卷带编带包装
功率特征：
小功率

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VIP会员第 17 年

企业名：日新微电子（深圳）有限公司

类型：原厂制造商

电话： 0755-83525113

手机：15986655004

联系人：郭泽斌

QQ：

微信：

邮箱：rxdzic@163.com

地址：广东深圳深圳市福田区华强广场B座15楼H

产品分类

新品上架

商品信息 更新时间：2018-08-21

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。

由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。

RSD046P05 RSD046P05 RSD046P05

联系方式

企业名：日新微电子（深圳）有限公司

类型：原厂制造商

电话： 0755-83525113

手机：15986655004

联系人：郭泽斌

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