制造商: Toshiba

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-3

晶体管极性: NPN

配置: Single

集电极—发射极电压 VCEO: 230 V

集电极—基极电压 VCBO: 230 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V

集电极—射极饱和电压: 0.4 V

直流电集电极电流: 15 A

增益带宽产品fT: 30 MHz

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

系列: 2SC5242

直流电流增益 hFE 值: 160  

高度: 4.8 mm  

长度: 20 mm  

宽度: 15.9 mm  

商标: Toshiba  

集电极连续电流: 15 A  

直流集电极/Base Gain hfe Min: 80  

Pd-功率耗散: 130 W  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

工厂包装数量: 50  

子类别: Transistors  

单位重量: 6.401 g

由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构:PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。

双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor)

双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。

双极型晶体管

双极型晶体管

晶体管:用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管.

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