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N沟MOSF管IRF634S

N沟MOSF管IRF634S
N沟MOSF管IRF634S
  • 品牌/商标：

    其他

  • 型号/规格：

    IRF634S

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    WAFER/裸芯片

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 开启电压：

    250（V）

  • 夹断电压：

    10（V）

  • 跨导：

    0（μS）

  • *间电容：

    0（pF）

发布询价信息
普通会员

  • 企业名：深圳市金广顺科技有限公司

    类型：经销商

    电话：

    联系人：孔维年

    地址：广东深圳中国 广东 深圳市南山区 创业路中兴工业城10栋二楼8228

产品分类
新品上架
商品信息 更新时间：2014-04-30

TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET

数据列表标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳
IRF634S, SiHF634S
800
分离式半导体产品
FET - 单路
-
MOSFET N 通道，金属氧化物
标准型
450 毫欧 @ 5.1A, 10V
250V
8.1A
4V @ 250µA
41nC @ 10V
770pF @ 25V
3.1W
表面贴装
TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB

联系方式

企业名：深圳市金广顺科技有限公司

类型：经销商

电话：

联系人：孔维年

地址：广东深圳中国 广东 深圳市南山区 创业路中兴工业城10栋二楼8228

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