FAIRCHILD/*童
NDS351AN-NL
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
10(V)
4,5(V)
250UA(μS)
145(pF)
1.4A(mA)
类型:经销商
电话:
手机:13544223070
联系人:蔡灿锦
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强北国利大厦1927室 门市:新亚洲二期N1B121
1.2A, 30卷RDS () = 0.25 W @ VGS = 4.5 V
RDS () = 0.16 W @ VGS = 10 V。
工业标准的概述SOT-23表面登上包裹*的using私有的SuperSOTTM-3设计thermal和电子能力。*低的RDS的高密度细胞设计()。
Exceptional在*和*大值DC潮流
capability.
Compact工业标准的SOT-23表面登上
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