产品种类:

IGBT 模块

制造商:

Infineon

产品:

IGBT Silicon Modules

配置:

Dual

集电极—发射极电压 VCEO:

1700 V

集电极—射极饱和电压:

2.45 V

在25 C的连续集电极电流:

930 A

栅极—射极漏泄电流:

400 nA

Pd-功率耗散:

4.15 kW

封装 / 箱体:

PRIME2

工作温度:

+ 150 C

商标:

Infineon Technologies

高度:

38 mm

长度:

172 mm

栅极/发射极电压:

+/- 20 V

工作温度:

- 40 C

安装风格:

Screw

工厂包装数量:

3

宽度:

89 mm

单位重量:

825 g