IR英飞凌  IRLR3410TRPBF 场效应管

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

 技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:15 A

Rds On-漏源导通电阻:155 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:16 V

Qg-栅极电荷:22.7 nC

工作温度:- 55 C

工作温度:+ 175 C

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

 长度:6.5 mm

 晶体管类型:1 N-Channel 

类型:HEXFET Power MOSFET

 宽度:6.22 mm 

商标:Infineon / IR

 下降时间:26 ns 

产品类型:MOSFET 

上升时间:53 ns

 工厂包装数量:2000 

子类别:MOSFETs 

典型关闭延迟时间:30 ns 

典型接通延迟时间:7.2 ns

 零件号别名:SP 

单位重量:4 g

Pd-功率耗散:52 W

IRLR3410TRPBF 场效应管

？ 逻辑电平门驱动

？ 超低导通电阻

？ 表面安装（IRLR3410）

？ 直引线（IRLU3410）

？ 先进的工艺技术

？ 快速切换

？ 完全雪崩评级

International Rectifier的第五代HEXFET

利用先进的加工技术来实现

尽可能降低每个硅片面积的导通电阻。 这个

好处，结合快速切换速度和

HEXFET Power的坚固耐用的器件设计

MOSFET是众所周知的，为设计者提供

用一个非常有效的设备广泛使用

各种应用程序。

D-PAK设计用于表面安装

气相，红外或波峰焊接技术。

直线铅版（IRFU系列）

孔安装应用。 功耗级别

在典型的表面安装中可能高达1.5瓦

应用。

场效应管   场效应管

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