INFINEON/英飞凌
IPD65R600E6
绝缘栅(MOSFET)
MOSFET N 通道，金属氧化物
耗尽型
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
CoolMOS
企业名：深圳长万科技有限公司
类型：经销商
电话： 0755-27941099
联系人：侯先生
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邮箱：1361026009@qq.com
地址：广东深圳大浪街道三合华侨B区16-21号
∟ MOSFET(1)
品牌：INFINEON 数据列表 | IPx65R600E6 |
产品培训模块 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | CoolMOS™ |
FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
FET 特点 | 标准型 |
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C | 600 毫欧 @ 2.1A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7.3A |
Id 时的 Vgs(th)（） | 3.5V @ 210µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 23nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 440pF @ 100V |
功率 - | 63W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63 |
供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | IPD65R600E6-ND |
需求数量大于10K，订货交期为10-12周，订货需预付30%定金。
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