供应英飞凌IGBT模块FZ2400R17HE4P_B9

北京京诚宏泰科技有限公司销售英飞凌IGBT模块；可控硅模块；整流桥模块；二极管模块；晶闸管；IPM模块

产品参数：


IHV B 3300 V 1000 A 130 mm 单开关 IGBT 模块，具有第三代 TRENCHSTOP? IGBT、低开关损耗和发射极控制二极管——适用于牵引和工业应用的成熟解决方案


如何计算IGBT器件的工作结温Tvj？

ChatGPT是这样说的：

要计算IGBT器件的工作结温Tvj，需要考虑以下几个因素：

1


IGBT芯片的功率损耗。这个值可以通过IGBT芯片厂家提供的datasheet中查到。通常来说，功率损耗越大，工作结温就越高。


2


IGBT芯片的封装方式。不同的封装方式会影响散热效率。一般来说，背面带有散热片的封装方式散热效果较好。


3


外部散热器的散热能力。外部散热器的散热能力也会影响工作结温。散热器的大小、材料以及通风情况都会影响散热效果。






如果考虑了以上因素后，可以使用以下公式计算IGBT器件的工作结温Tvj：


Tvj = Ta %2B Pd*Rthjc






其中， Ta是环境温度，Pd是IGBT芯片的功率损耗，Rthjc是芯片与散热器结合部的热阻。






需要注意的是，这个公式只考虑了IGBT芯片本身的散热情况，并没有考虑整个系统的散热能力。因此，在实际应用中，还需要结合具体的系统情况来确定IGBT器件的工作结温。

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3300V IGBT模块型号：


FF200R33KF2C


FZ400R33KF2C


FZ800R33KF2C


FZ1200R33KF2C


IGBT模块FZ1000R33HL3


IGBT模块FZ1000R33HE3


IGBT模块FZ1200R33HE3


IGBT模块FZ1500R33HE3


IGBT模块FZ1500R33HL3


IGBT模块FZ1600R33HE4


IGBT模块FZ1400R33HE4


IGBT模块FZ2400R33HE4


IGBT模块FF450R33T3E3


IGBT模块FZ825R33HE4D






特征描述


高直流电压稳定性


高短路能力


自限制短路电流


低开关损耗


出色的坚固性


Tvj op = 150?C


低 VCEsat，具有正温度系数


铝碳化硅基板，用于提高热循环能力


封装的 CTI > 600


绝缘基板







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供应英飞凌IGBT模块FZ2400R17HE4P_B9


产品规格：


IGBT 类型：沟槽型场截止


配置：半桥


电压 - 集射极击穿：1700 V


电流 - 集电极 (Ic)：900 A


电流 - 集电极截止：100 ?A


不同 Vce 时输入电容 (Cies)：122 nF @ 25 V


输入：标准


NTC 热敏电阻：无


工作温度：-40?C ~ 175?C（TJ）


安装类型：底座安装


封装/外壳：模块


供应商器件封装：AG-62MM


产品特征：


高功率密度


的 VCE，SAT


Tvj op = 175?C 过载


高爬电距离和电气间隙


符合 RoHS 标准


4 kV AC 1 分钟绝缘


CTI > 400 的封装


通过 UL1557 E83336 获得 UL/CSA


TRENCHSTOP? IGBT7晶片


改進的EconoDUAL? 3封裝


225、750和900A，1700V半橋模塊


的二極體，750A IGBT配1200A二極體（僅FF750R17ME7D_B11）


在過載情況下工作結溫可達到175?C


壓接式控制引腳


北京京诚宏泰科技有限公司供应英飞凌IGBT模块FZ1000R33HL3


优势：


具有高电流能力的现有封装，允许在相同框架尺寸的情况下增加逆变器输出功率


高功率密度


避免 IGBT 模块并联


通过简化逆变器系统降低系统成本


灵活性


高的可靠性


产品应用领域：


不间断电源（UPS）


储能系统


电机控制和驱动


商用、建筑和农用车辆 (CAV)


变频器






北京京诚宏泰科技有限公司是一家集渠道、分销、经销 、直销及OEM模式为一体的电力电子半导体销售和电力电子行业解决方案的产业链供应商。


销售国内外品牌电力电子半导体器件、变频器、变频器配件、铝电解电容和功率模块；主要经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、


SIEMENS西门子、西门康Semikron、 IXYS艾赛斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon伟肯、Mitsubishi三菱、


Fuji富士、Fairchild飞兆半导体、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因达NIEC，美国IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼尔；yaskawa安川；


英国西玛，西班牙CATELEC等公司生产的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶闸管、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块；日本富士（FUJI）、


日之出（HINODE）、法国罗兰（FERRAZ）、英国GOULD、美国BUSSMANN快速熔断器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),


Itelcond,意大利FACON,德国伊凯基ELECTRONICON，法国汤姆逊TPC，日本日立、黑金刚NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；


红宝石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力发、英国BHC，BHC Aerovox 电解电容以及美国CDE无感电容；瑞士CONCEPT IGBT驱动、光耦、变频器主控板、驱动板，电源板，通信板，接口板


操作面板






IGBT是什么？


IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。


IGBT与MOSFET的对比


MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。


优点：热稳定性好、安全工作区大。


缺点：击穿电压低，工作电流小。北京京诚宏泰科技有限公司供应IGBT模块FZ1000R33HL3


IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。


特点：击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。


IGBT的典型应用


电动机


不间断电源


太阳能面板安装


电焊机


电源转换器与反相器


电感充电器


电磁炉






第七代IGBT型号：




FF900R12ME7P_ B11


FF450R12ME7_ B11


FF900R12ME7W_ B11


FF900R12ME7_ B11


FF600R12ME7_ B11


FF800R12KE7


FF300R12ME7_ B11


FF750R12ME7_ B11


FF750R17ME7D_ B11


FF225R17ME7_ B11


FF1800R23IE7P


FF1800R23IE7




FF2400RB12IP7P


FF2400RB12IP7


F3L400R10W3S7F_ B11


F3L600R10W4S7F_ C22


FS3L200R10W3S7F_ B94


F3L 400R10W3S7_ _B11


FS3L200R10W3S7F_ B11


FP15R12W1T7_ B3


FP15R12W1T7


FP15R12W1T7P_ B11


FP25R12W2T7


FP50R12W2T7_ B11


FP25R12W1T7


FP50R12W2T7


FP35R12W2T7_ B11


FP10R12W1T7_ B11


FP35R12W2T7


FP25R12W1T7_ B11


FP25R12W2T7_ B11


FP15R12W1T7_ _B11


FP10R12W1T7_ B3


FP15R12W1T7P

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FP100R12W3T7 B11

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