供应IGBT模块FZ2400R12HE4P_B9变频器电源

北京京诚宏泰科技有限公司销售供应供应IGBT模块FZ2400R12HE4P_B9变频器电源

IGBT模块；可控硅模块；整流桥模块；二极管模块；电容；晶闸管；IPM模块;半导体功率模块;PLC模块，风机，传感器，驱动板，主控板，电源板，变频器配件

产品特征描述：

1. 提高工作温度Tvj op
2. 低开关损耗
3. 低 VCEsat
4. Tvj op = 150?C
5. 4 kV 交流 1 分钟绝缘
6. 封装的 CTI > 400
7. 高爬电距离和电气间隙
8. 铜基板
9. UL

产品优势：

FZ1200R12HE4
FZ1800R12HE4_B9
FZ2400R12HE4_B9
DD800S17H4_B2
FD600R17KE3_B2 

IGBT是什么？
IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。北京京诚宏泰科技有限公司销售供应供应IGBT模块FZ2400R12HE4P_B9变频器电源 GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT与MOSFET的对比
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
北京京诚宏泰科技有限公司销售IGBT模块FZ2400R17HP4_B28
优点：热稳定性好、安全工作区大。
缺点：击穿电压低，工作电流小。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。
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特点：

击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
IGBT的典型应用
电动机
不间断电源
太阳能面板安装
电焊机
电源转换器与反相器
电感充电器
电磁炉

FF600R17KE3
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FZ1200R17HE4
FZ1800R17HE4_B9

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FZ1800R12HP4_ B9
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IGBT模块；单管IGBT模块；双管半桥IGBT模块；4单元H桥IGBT模块；3单元IGBT模块；6单元三相全桥IGBT模块；
三电平IGBT模块；6500V高压IGBT模块；北京京诚宏泰科技有限公司 关键词 SEO 3300V高压IGBT模块；4500V高压IGBT模块；IPM模块；PIM模块；PLC模块；GTR达林顿模块 ；GTO晶闸管；普通晶闸管；
快速晶闸管； 二极管；快恢复二极管；整流桥；刹车整流器；单相整流桥；三相整流桥；全控整流桥；半控整流桥；可控硅；双向可控硅；反并联可控硅；驱动板；
IGBT驱动板；可控硅驱动板；可控硅触发板；晶闸管触发板；北京京诚宏泰科技有限公司 关键词 SEO  MOSFET管；场效应模块；电容；直流铝电解电容；交流滤波电容；启动电容器；无功补偿电容器；
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FZ1800R17HP4_ B9
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FZ2400R17HP4
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FZ1800R12KF4
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FZ800R17KF6C_B2

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