APMEMORY
SOP8
最新
64Mbit
-40°C~+85°C
APS6404L-3SQR-SN芯片基本信息与技术参数APS6404L-3SQR-SN是一款由APMemory Technology生产的伪静态随机存取存储器(PSRAM),属于动态随机存取存储器(DRAM)类别,主要面向消费电子...
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CBM97D79TQ
2022+
TQFP-100
深圳市宏芯光电子有限公司芯佰微厂家
深圳市宏芯光电子有限公司 工厂厂家 芯佰微渠道货源 CBM97D79TQ 生产日期2022+ USB2.0控制器 单片机(MCU/MPU/SOC) USB控制器 CBM9001A-48AG CBM9002A-100TIG CBM9002A-100TCG CBM9002A-56ILG CBM9002A-56IBG CBM9002A-56ISG CBM9002A-56LCG CBM9002A-56BCG CB...
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Texas Instruments
VSON-CLIP-8
1 N-Channel Power MOSFET
MOSFETs
CSD16323Q3
制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: VSON-CLIP-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压...
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MT41K256M16TW-107:P
MICRON
BGA
19+
20000
制造商: Micron Technology 产品种类: 动态随机存取存储器 封装 / 箱体: FBGA-96 系列: MT41K 商标: Micron 安装风格: SMD/SMT 湿度敏感性: Yes 产品类型: DRAM 工厂包装数量: 1368 ...
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-
集成电路(IC)
存储器
2.3 V ~ 2.7 V
W9412G6KH-5介绍: 描述 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II 详细描述 SDRAM - DDR 存储器 IC 128Mb (8M x 16) 并联 200MHz 50ns 66-TSOP II 类别 集成电路(IC) 存储器 制造商 Winbond Electronics 系列 - 包装 托盘 零件状态 在售 存储器类型 易失 存储器...
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PIC12C509A-04I/SM
MICROCHIP
22+
现货
13640952252
富昌源电子(深圳)有限公司是亚太地区的电子元器件混合型分销商。经营各类主动元件( IC集成电路,存储芯片,二、三极管等)和被动元件(电容,电阻,电感等)及机电元件(连接器,开关器...
电话:0755-82793497
手机:13640952252
镁光
BGA
6000
面议
1080
说明: 动态随机存取存储器 DDR4 8G 512MX16 FBGA 制造商: Micron Technology 产品种类: 动态随机存取存储器 RoHS: 详细信息 类型: SDRAM - DDR4 数据总线宽度: 16 bit 组织: 512 M x...
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K4B4G1646E-BCMA
FGBA
18+
无铅环保
三星
K4B4G1646E-BCMA 生产厂家 三星电子 产品分类 DRAM芯片 描述 DRAM芯片DDR3 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.5V 96引脚FBGA 欧盟RoHS合规 DRAM类型DDR3 SDRAM 芯片密度(位)4G 组织256Mx16 内...
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MT48LC8M16A2P-6A
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 128MBIT 167MHZ 54TSOP
3(168 小时)
一般信息: 数据列表:MT48LCxMxA2; 标准包装:2,000 类别:集成电路(IC) 产品族:存储器 系列:- 规格: 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:SDRAM 存储容量:128Mb (8M x 16) 时钟频率:167MHz 写周期时间 - 字,页:12ns 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压...
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制造过程 芯片制作完整过程包括芯片设计、晶片制作、封装制作、成本测试等几个环节,其中晶片制作过程尤为的复杂。 精密的芯片其制造过程非常的复杂 首先是芯片设计,根据设计的需求,生成的“图样” 1, 芯片的原料晶圆 晶圆的成分是硅,硅是由石英沙所精练出来的,晶圆便是硅元素加以纯化(99.999%),接着是将这些纯硅制...
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SAMSUNG(三星)
K4B4G1646E-BCMA
BGA96
21+
托盘
供应K4B4G1646E-BCMA存储芯片 储存器 原装现货 供应商介绍 深圳市昱创芯城电子有限公司(简称“昱创芯诚”)成立于2020年,是一家以代理、海外渠道、原厂授权分销、现货库存模式共存...
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H9HCNNNCPUMLHR-NME
SK Hynix /海力士
FBGA
23+
无铅/环保
原装H9HCNNNCPUMLHR-NME DRAM动态随机存储器 的技术参数: <span style="font-family:宋体;font-size:10.500...
电话:13824331138
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三星/sansum
16G
X32
1866MBPS
960
拓宽移动设备的应用领域 三星 LPDDR3 的高性能、超快速度和高能效已得到公认,它支持各种移动解决方案,从智能手机到物联网和可穿戴设备,不一而足。 专为多任务 处理而设计, 采用小...
电话:18681503129
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SK HYNIX/海力士
H5PS5162GFRS6C
1.8±0.1V
8K/64ms
7.5mm x 12.5mm
8gddr4内存报价 专用交流参数的具体说明(8gddr4内存报价 ) 1.用户可以选择通过MRS(位12)使用哪一个有功掉电退出定时。 txard预计用于fast有源掉电退出定时。TXARD预计将用于下一个...
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Micron
96-FBGA
卷带
4Gb (256M x 16)
类别 集成电路(IC) 存储器 制造商 Micron Technology Inc. 存储器格式 DRAM 技术 SDRAM - DDR3L 存储容量 4Gb (256M x 16) 时钟频率 800MHz 写周期时间 - 字,页 - 访问时间 13.75ns 存储器接口 并联 电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V 工作温度 0°C...
电话:18665364505
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W9864G6KH-6
W9864G6KH
SMD/SMT
TSOP-54
20+
W9864G6KH-6动态随机存取存储器 制造商: Winbond 产品种类: 动态随机存取存储器 RoHS: 详细信息 类型: SDRAM 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSOP-54 数据总线宽度: 16 bit 组织: 4 ...
电话:13310877445
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集成电路(IC) 存储器
Insignis
NDL86P
卷带(TR)
易失
DRAM
SDRAM - DDR3L
8Gb
供应 NDL86PFG-8KIT TR DRAM产品属性类型描述选择 类别集成电路(IC)存储器存储器制造商Insignis Technology Corporation系列NDL86P包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制...
电话:0755-83228319
手机:19865828062
NT5CB128M16HP是南亚(NANAY)公司推出的一款2GB-DDR3-H-dieDRAM,该芯片由16Mbit×16I/Os×8同步动态存储器构成,其数据传输率能达到2133Mb/s/pin。该芯片主要适用于需大量存储密度和高带宽的主内存的应用程序。 NT5CB128M16HP的主要功能特性包括: 1、1.35V-0.067V/+0.1V和1.5V的±0.075V(JEDEC...
电话:13714120475
手机:13714120475,15773738383
Omron
近程传感器
Inductive
+ 85 C
- 40 C
Omron Automation and Safety
产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Omron 近程传感器 E2E2-X5B1-M1 产品种类: 近程传感器 RoHS: 详细信息 感应方式: Inductive 感应距离: 5 mm 近程传感器 E2E2-X5B1-M1 安装风格: Ca...
电话:0755-25320933
手机:18926574786
Littelfuse
近程传感器
Magnetic
Vane sensor
Case
Hamlin / Littelfuse
制造商: Littelfuse 产品种类: 近程传感器 近程传感器 59085-030 RoHS: 详细信息 感应方式: Magnetic 安装风格: Screw 输出配置: SPDT-CO 近程传感器 59085-030 工作温度: + 105 C 工...
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