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DRAM(MOS型动态存储器)

(共找到“44”条查询结果)
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  • 品牌:

    APMEMORY

  • 封装:

    SOP8

  • 年份:

    最新

  • 存储容量:

    64Mbit

  • 工作温度范围:

    -40°C~+85°C

APS6404L-3SQR-SN芯片基本信息与技术参数APS6404L-3SQR-SN是一款由APMemory Technology生产的伪静态随机存取存储器(PSRAM),属于动态随机存取存储器(DRAM)类别,主要面向消费电子...

  • 型号:

    CBM97D79TQ

  • 生产日期:

    2022+

  • 封装:

    TQFP-100

  • 供应商:

    深圳市宏芯光电子有限公司芯佰微厂家

深圳市宏芯光电子有限公司 工厂厂家 芯佰微渠道货源 CBM97D79TQ 生产日期2022+ USB2.0控制器 单片机(MCU/MPU/SOC) USB控制器 CBM9001A-48AG CBM9002A-100TIG CBM9002A-100TCG CBM9002A-56ILG CBM9002A-56IBG CBM9002A-56ISG CBM9002A-56LCG CBM9002A-56BCG CB...

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 封装:

    VSON-CLIP-8

  • 晶体管类型:

    1 N-Channel Power MOSFET

  • 子类别:

    MOSFETs

  • 系列:

    CSD16323Q3

制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: VSON-CLIP-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压...

  • 型号:

    MT41K256M16TW-107:P

  • 品牌:

    MICRON

  • 封装:

    BGA

  • 批号:

    19+

  • 数量:

    20000

制造商: Micron Technology 产品种类: 动态随机存取存储器 封装 / 箱体: FBGA-96 系列: MT41K 商标: Micron 安装风格: SMD/SMT 湿度敏感性: Yes 产品类型: DRAM 工厂包装数量: 1368 ...

  • 系列:

    -

  • 类别:

    集成电路(IC)

  • 产品族:

    存储器

  • 电压:

    2.3 V ~ 2.7 V

W9412G6KH-5介绍: 描述 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II 详细描述 SDRAM - DDR 存储器 IC 128Mb (8M x 16) 并联 200MHz 50ns 66-TSOP II 类别 集成电路(IC) 存储器 制造商 Winbond Electronics 系列 - 包装 托盘 零件状态 在售 存储器类型 易失 存储器...

  • 型号:

    PIC12C509A-04I/SM

  • 品牌:

    MICROCHIP

  • 年份:

    22+

  • 货期:

    现货

  • 联系人:

    13640952252

富昌源电子(深圳)有限公司是亚太地区的电子元器件混合型分销商。经营各类主动元件( IC集成电路,存储芯片,二、三极管等)和被动元件(电容,电阻,电感等)及机电元件(连接器,开关器...

  • 品牌:

    镁光

  • 封装:

    BGA

  • 数量:

    6000

  • 单价:

    面议

  • 包装:

    1080

说明: 动态随机存取存储器 DDR4 8G 512MX16 FBGA 制造商: Micron Technology 产品种类: 动态随机存取存储器 RoHS: 详细信息 类型: SDRAM - DDR4 数据总线宽度: 16 bit 组织: 512 M x...

  • 型号:

    K4B4G1646E-BCMA

  • 封装:

    FGBA

  • 批次:

    18+

  • 环保:

    无铅环保

  • 厂家:

    三星

K4B4G1646E-BCMA 生产厂家 三星电子 产品分类 DRAM芯片 描述 DRAM芯片DDR3 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.5V 96引脚FBGA 欧盟RoHS合规 DRAM类型DDR3 SDRAM 芯片密度(位)4G 组织256Mx16 内...

  • 零件编号:

    MT48LC8M16A2P-6A

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 描述:

    IC SDRAM 128MBIT 167MHZ 54TSOP

  • 湿气敏感性等级 (MSL):

    3(168 小时)

一般信息: 数据列表:MT48LCxMxA2; 标准包装:2,000 类别:集成电路(IC) 产品族:存储器 系列:- 规格: 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:SDRAM 存储容量:128Mb (8M x 16) 时钟频率:167MHz 写周期时间 - 字,页:12ns 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压...

    制造过程 芯片制作完整过程包括芯片设计、晶片制作、封装制作、成本测试等几个环节,其中晶片制作过程尤为的复杂。 精密的芯片其制造过程非常的复杂 首先是芯片设计,根据设计的需求,生成的“图样” 1, 芯片的原料晶圆 晶圆的成分是硅,硅是由石英沙所精练出来的,晶圆便是硅元素加以纯化(99.999%),接着是将这些纯硅制...

    • 品牌:

      SAMSUNG(三星)

    • 型号:

      K4B4G1646E-BCMA

    • 封装:

      BGA96

    • 批次:

      21+

    • 包装:

      托盘

    供应K4B4G1646E-BCMA存储芯片 储存器 原装现货 供应商介绍 深圳市昱创芯城电子有限公司(简称“昱创芯诚”)成立于2020年,是一家以代理、海外渠道、原厂授权分销、现货库存模式共存...

    • 型号:

      H9HCNNNCPUMLHR-NME

    • 制造商:

      SK Hynix /海力士

    • 封装:

      FBGA

    • 批次:

      23+

    • 无铅/环保:

      无铅/环保

    原装H9HCNNNCPUMLHR-NME DRAM动态随机存储器 的技术参数: <span style="font-family:宋体;font-size:10.500...

    • 品牌:

      三星/sansum

    • 容量:

      16G

    • 框架:

      X32

    • 速度:

      1866MBPS

    • 包装:

      960

    拓宽移动设备的应用领域 三星 LPDDR3 的高性能、超快速度和高能效已得到公认,它支持各种移动解决方案,从智能手机到物联网和可穿戴设备,不一而足。 专为多任务 处理而设计, 采用小...

    • 品牌:

      SK HYNIX/海力士

    • 型号:

      H5PS5162GFRS6C

    • VDD,VDDQ:

      1.8±0.1V

    • 刷新周期:

      8K/64ms

    • Jetec标准84球FBGA(x16):

      7.5mm x 12.5mm

    8gddr4内存报价 专用交流参数的具体说明(8gddr4内存报价 ) 1.用户可以选择通过MRS(位12)使用哪一个有功掉电退出定时。 txard预计用于fast有源掉电退出定时。TXARD预计将用于下一个...

    • 厂家:

      Micron

    • 封装:

      96-FBGA

    • 包装:

      卷带

    • 存储容量:

      4Gb (256M x 16)

    类别 集成电路(IC) 存储器 制造商 Micron Technology Inc. 存储器格式 DRAM 技术 SDRAM - DDR3L 存储容量 4Gb (256M x 16) 时钟频率 800MHz 写周期时间 - 字,页 - 访问时间 13.75ns 存储器接口 并联 电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V 工作温度 0&#176;C...

    • 型号:

      W9864G6KH-6

    • 系列:

      W9864G6KH

    • 安装风格:

      SMD/SMT

    • 封装:

      TSOP-54

    • 批号:

      20+

    W9864G6KH-6动态随机存取存储器 制造商: Winbond 产品种类: 动态随机存取存储器 RoHS: 详细信息 类型: SDRAM 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSOP-54 数据总线宽度: 16 bit 组织: 4 ...

    • 类别:

      集成电路(IC) 存储器

    • 制造商:

      Insignis

    • 系列:

      NDL86P

    • 包装:

      卷带(TR)

    • 存储器类型:

      易失

    • 存储器格式:

      DRAM

    • 技术:

      SDRAM - DDR3L

    • 存储容量:

      8Gb

    供应 NDL86PFG-8KIT TR DRAM产品属性类型描述选择 类别集成电路(IC)存储器存储器制造商Insignis Technology Corporation系列NDL86P包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制...

      NT5CB128M16HP是南亚(NANAY)公司推出的一款2GB-DDR3-H-dieDRAM,该芯片由16Mbit&#215;16I/Os&#215;8同步动态存储器构成,其数据传输率能达到2133Mb/s/pin。该芯片主要适用于需大量存储密度和高带宽的主内存的应用程序。 NT5CB128M16HP的主要功能特性包括: 1、1.35V-0.067V/+0.1V和1.5V的&#177;0.075V(JEDEC...

      • 制造商:

        Omron

      • 产品种类:

        近程传感器

      • 感应方式:

        Inductive

      • 工作温度:

        + 85 C

      • 工作温度:

        - 40 C

      • 商标:

        Omron Automation and Safety

      产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Omron 近程传感器 E2E2-X5B1-M1 产品种类: 近程传感器 RoHS: 详细信息 感应方式: Inductive 感应距离: 5 mm 近程传感器 E2E2-X5B1-M1 安装风格: Ca...

      • 制造商:

        Littelfuse

      • 产品种类:

        近程传感器

      • 感应方式:

        Magnetic

      • 描述/功能:

        Vane sensor

      • 封装:

        Case

      • 商标:

        Hamlin / Littelfuse

      制造商: Littelfuse 产品种类: 近程传感器 近程传感器 59085-030 RoHS: 详细信息 感应方式: Magnetic 安装风格: Screw 输出配置: SPDT-CO 近程传感器 59085-030 工作温度: + 105 C 工...

      电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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