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SI1865DL-T1/电源分配开关 N+P沟道 增型场效应管MOS/SOT-363

SI1865DL-T1/电源分配开关 N+P沟道 增型场效应管MOS/SOT-363
SI1865DL-T1/电源分配开关 N+P沟道 增型场效应管MOS/SOT-363
  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 型号/规格:

    SI1865DL-T1

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 品牌/商标:

    Vishay/威世通

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 限制电流:

    1.2A

  • 开通阻值Rds(on):

    0.18Ω

  • 输入电压:

    1.8V~8V

  • 应用范围:

    放大

普通会员
商品信息 更新时间:2013-01-30

【产品展示图】



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【产品参数】


 







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