描述

• 晶体管*性:P沟道
• 电压, Vds *大:100V
• 开态电阻, Rds(on):0.6ohm
• 功耗:1.3W
• 封装类型:DIP
• 针脚数:4
• 功率, Pd:1.3W
• 器件标记:IRFD9120PBF
• 封装类型:DIP
• 引脚节距:2.54mm
• 排距:7.62mm
• 晶体管数:1
• 晶体管类型:MOSFET
• 温度 @ 电流测量:25°C
• 满功率温度:25°C
• 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
• 电压, Vds 典型值:-100V
• 电流, Id 连续:1A
• 电流, Idm 脉冲:8A
• 表面安装器件:通孔安装
• 阈值电压, Vgs th 典型值:-4V

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