| 品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | STP65NF06 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 标称（V） | 夹断电压 | 标称（V） |
| 低频跨导 | 标称（μS） | *间电容 | 标称（pF） |
| 低频噪声系数 | 标称（dB） | *大漏*电流 | 标称（mA） |
| *大耗散功率 | 标称（mW） |
ST*原装，*无铅
类别 | 分离式半导体产品-MOSFET，GaNFET-单 |
系列 | STripFET™ |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 标准型 |
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 14毫欧 @ 30A, 10V |
漏*至源*电压(Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 60A |
Id时的 Vgs(th)（*大） | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 75nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 25V |
功率 - *大 | 110W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
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