| 品牌/商标 | SI*-IC | 型号/规格 | 2N60 |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | AM/调幅 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 1（V） | 夹断电压 | 1（V） |
| 低频跨导 | 1（μS） | *间电容 | 20（pF） |
| 低频噪声系数 | 20（dB） | *大漏*电流 | 10（mA） |
| *大耗散功率 | 10（mW） |
上海光宇睿芯微电子有限公司(SI*-IC)提*品如下：
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产品类别 型号 封装
| mosfet | SE2N60 | TO252 |
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