| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | NDS356AP |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | P-FET硅P沟道 | 开启电压 | 30（V） |
| 夹断电压 | 10（V） | 跨导 | 0（μS） |
| *间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| *大漏*电流 | 0（mA） | *大耗散功率 | 0（mW） |
SOT-23 12V-400V, P沟MOSFET
| NDS356AP |
| SOT-23-3 |
| High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| SuperSOT-3, SOT-23 |
| 3,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| - |
| MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 200 毫欧 @ 1.3A, 10V |
| 30V |
| 1.1A |
| 2.5V @ 250µA |
| 4.4nC @ 5V |
| 280pF @ 10V |
| 460mW |
| 表面贴装 |
| TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 带卷 (TR) |
| 3-SSOT |
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