| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRF634S |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | WAFER/裸芯片 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 250（V） | 夹断电压 | 10（V） |
| 跨导 | 0（μS） | *间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | *大漏*电流 | 0（mA） |
| *大耗散功率 | 0（mW） |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
| IRF634S, SiHF634S |
| 800 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| - |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 450 毫欧 @ 5.1A, 10V |
| 250V |
| 8.1A |
| 4V @ 250µA |
| 41nC @ 10V |
| 770pF @ 25V |
| 3.1W |
| 表面贴装 |
| TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
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