| 品牌/商标 | INR美德国际整流器件 | 型号/规格 | IRFR9024N |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | CC/恒流 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 夹断电压 | 60（V） | *间电容 | 570（pF） |
| *大漏*电流 | 880（mA） | *大耗散功率 | 250（mW） |
| IRFR9024, IRFU9024 |
| IRFR9024TRPBF |
| IR(F,L)Z Series Side 1 IR(F,L)Z Series Side 2 |
| 2,000 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET，GaNFET - 单 |
| - |
| MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 280 毫欧 @ 5.3A, 10V |
| 60V |
| 4V @ 250µA |
| 19nC @ 10V |
| 8.8A |
| 570pF @ 25V |
| 2.5W |
| 表面贴装 |
| DPak, SC-63,TO-252(2引线+接片) |
| 带卷 (TR) |
| 1380 (CN091-10 PDF) |
| IRFR9024PBFTR |
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