| 品牌/商标 | FAIRCHILD/*童 | 型号/规格 | NDS332P |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | CC/恒流 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | GE-P-FET锗P沟道 |
| 开启电压 | 4.5（V） | 夹断电压 | 20（V） |
| 跨导 | 0（μS） | *间电容 | 195（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | *大漏*电流 | 100（mA） |
| *大耗散功率 | 460（mW） |
SOT-23 12V-400V, P沟MOSFET
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| - |
| MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 300 毫欧 @ 1.1A, 4.5V |
| 20V |
| 1A |
| 1V @ 250µA |
| 5nC @ 4.5V |
| 195pF @ 10V |
| 460mW |
| 表面贴装 |
| TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 带卷 (TR) |
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