| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | FDS5670 |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DIFF/差分放大 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 60（V） | 夹断电压 | 10（V） |
| 跨导 | 0（μS） | *间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | *大漏*电流 | 0（mA） |
| *大耗散功率 | 0（mW） |
| FDS5670 |
| 8-SOIC |
| High Voltage Switches for Power Processing |
| Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 2,500 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| PowerTrench® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 14 毫欧 @ 10A, 10V |
| 60V |
| 10A |
| 4V @ 250µA |
| 70nC @ 10V |
| 2900pF @ 15V |
| 1W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
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