品牌:TOSHIBA东芝 型号:2SK3078 应用范围:功率 材料:硅(Si) *性:PNP型 击穿电压VCBO:10（V） 集电**大允许电流ICM:0.5（A） 集电**大耗散功率PCM:1（W） 截止频率fT:0（MHz） 结构:面接触型 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装
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| 部件型号 | 2SK3078A | | | *性 | N沟 | | | 用途 | FRS/GMRS(470MHz) | | | 漏源电压VDSS@Tc=25°C | 10 V | | | 泄漏电流ID@Tc=25°C | 500 mA | | | 功耗PD@Tc=25°C, max | 3 W | | | 输出功率PO(*小) | 0.63W | VDD= 4.5 V, f = 470 MHz, Pi = 0.1 W, Tc=25°C
| | 封装 | PW-Mini(4.6 x 4.2) | | | 管脚数 | 3 | | | 产品分类 | RF功率MOSFET | | | RoHS Compatible Product(s) (#) | Available |
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