| 品牌/商标 | ZET英国XETEX | 型号/规格 | IRFR3505 |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 55（V） | 夹断电压 | 55（V） |
| *间电容 | 2030（pF） | *大漏*电流 | 300（mA） |
| *大耗散功率 | 1400（mW） |
| IRFR3505PbF, IRFU3505PbF |
| DPAK Pkg |
| 75 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET，GaNFET - 单 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 13 毫欧 @ 30A, 10V |
| 55V |
| 4V @ 250µA |
| 93nC @ 10V |
| 30A |
| 2030pF @ 25V |
| 140W |
| 表面贴装 |
| DPak, SC-63,TO-252(2引线+接片) |
| 管件 |
| *IRFR3505PBF |
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