| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF530NS |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 开启电压 | 100（V） |
| 夹断电压 | 4（V） |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
| IRF530N(S,L)PbF |
| D2PAK, TO-263 |
| IR Hexfet D2PAK |
| 800 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 90 毫欧 @ 9A, 10V |
| 100V |
| 17A |
| 4V @ 250µA |
| 37nC @ 10V |
| 920pF @ 25V |
| 3.8W |
| 表面贴装 |
| TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
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