品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | SI4840DY |
种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 40(V) | 夹断电压 | 5(V) |
*大漏*电流 | 0(mA) | *大耗散功率 | 0(mW) |
SO8, N沟MOSFET
SI4840DY |
8-SOIC |
DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
2,500 |
分离式半导体产品 |
FET - 单路 |
TrenchFET® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
逻辑电平门 |
9 毫欧 @ 14A, 10V |
40V |
10A |
3V @ 250µA |
28nC @ 5V |
- |
1.56W |
表面贴装 |
8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽) |
8-SOICN |
带卷 (TR) |
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