品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | SI9933ADY |
种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
开启电压 | 20(V) | 夹断电压 | 10(V) |
低频噪声系数 | 0(dB) | *大漏*电流 | 0(mA) |
*大耗散功率 | 0(mW) |
SO8, P沟MOSFET
SI9933CDY |
8-SOIC |
DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
2,500 |
分离式半导体产品 |
FET - 阵列 |
- |
2 个 P 沟道(双) |
标准型 |
58 毫欧 @ 4.8A, 4.5V |
20V |
4A |
1.4V @ 250µA |
26nC @ 10V |
665pF @ 10V |
2W |
表面贴装 |
8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽) |
8-SOICN |
带卷 (TR) |
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