| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRFR024N |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 55（V） | 夹断电压 | 25（V） |
TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟
| IRF(R,U)024NPbF |
| TO-252-2 |
| IR Hexfet DPak |
| 2,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 75 毫欧 @ 10A, 10V |
| 55V |
| 17A |
| 4V @ 250µA |
| 20nC @ 10V |
| 370pF @ 25V |
| 45W |
| 表面贴装 |
| TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
| 带卷 (TR) |
| D-Pak |
MOSFET
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