品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | SI9926BDY |
种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 20(V) |
夹断电压 | 1.5(V) | 跨导 | 0(μS) |
*间电容 | 0(pF) | 低频噪声系数 | 0(dB) |
*大漏*电流 | 0(mA) | *大耗散功率 | 0(mW) |
SO8, N沟MOSFET
SI9926BDY |
8-SOIC |
DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
2,500 |
分离式半导体产品 |
FET - 阵列 |
TrenchFET® |
2 个 N 沟道(双) |
逻辑电平门 |
20 毫欧 @ 8.2A, 4.5V |
20V |
6.2A |
1.5V @ 250µA |
20nC @ 4.5V |
- |
1.14W |
表面贴装 |
8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽) |
8-SOICN |
带卷 (TR) |
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