| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRF7406 |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | P-FET硅P沟道 | 开启电压 | 30（V） |
| 夹断电压 | 1（V） | 跨导 | 0（μS） |
| *间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| *大漏*电流 | 0（mA） | *大耗散功率 | 0（mW） |
SO8, P沟MOSFET
| IRF7406PbF |
| 8-SOIC |
| IR Hexfet 8-SOIC |
| 4,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 45 毫欧 @ 2.8A, 10V |
| 30V |
| 5.8A |
| 1V @ 250µA |
| 59nC @ 10V |
| 1100pF @ 25V |
| 2.5W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 8-SO |
| 带卷 (TR) |
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