品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | SI9410DY |
种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 30(V) | 夹断电压 | 10(V) |
跨导 | 0(μS) | *间电容 | 0(pF) |
低频噪声系数 | 0(dB) | *大漏*电流 | 0(mA) |
*大耗散功率 | 0(mW) |
SO8, N沟MOSFET
SI9410DY |
8-SOIC |
2,500 |
分离式半导体产品 |
FET - 单路 |
TrenchMOS™ |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
逻辑电平门 |
30 毫欧 @ 7A, 10V |
30V |
- |
1V @ 250µA |
50nC @ 10V |
- |
2.5W |
表面贴装 |
8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽) |
8-SO |
带卷 (TR) |
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