品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFZ34VS |
种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 开启电压 | 60(V) |
夹断电压 | 4(V) | 跨导 | 0(μS) |
*间电容 | 0(pF) | 低频噪声系数 | 0(dB) |
*大漏*电流 | 0(mA) | *大耗散功率 | 0(mW) |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
IRFZ34VSPbF, IRFZ34VLPbF |
D2PAK, TO-263 |
IR Hexfet D2PAK |
50 |
分离式半导体产品 |
FET - 单路 |
HEXFET® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
标准型 |
28 毫欧 @ 18A, 10V |
60V |
30A |
4V @ 250µA |
49nC @ 10V |
1120pF @ 25V |
70W |
表面贴装 |
TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
管件 |
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