品牌/商标 | WG | 型号/规格 | 4N60L |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | D-G双栅四* |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 600(V) | 夹断电压 | 10(V) |
跨导 | 10(μS) | *间电容 | 2(pF) |
低频噪声系数 | 2(dB) | *大漏*电流 | 10(mA) |
*大耗散功率 | 530(mW) |
FQP4N60 |
TO-220-3 Pkg |
Product Discontinuation 09/Sept/2008 |
1,000 |
離散半導體產品 |
FETs - Single |
QFET™ |
MOSFET N通道,金屬氧化物 |
標準 |
2.2 歐姆 @ 2.2A, 10V |
600V |
4.4A |
5V @ 250µA |
20nC @ 10V |
670pF @ 25V |
106W |
通孔 |
TO-220-3 |
管裝 |
TO-220 |
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