N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管SVD8N60F

品牌/商标：
SILAN/士兰微
型号/规格：
SVD8N60F
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
L/功率放大
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
GE-N-FET锗N沟道

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新品上架

商品信息 更新时间：2013-01-27

SVD8N60T/F是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-220-3L和TO-220F-3L俩种封装，采用士兰微电子的平面VDMOS工艺制造，*的工艺及条状的原胞设计结构使的该产品具有较底的导通电阻，*的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。

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