品牌:INFINEON 型号:SPA11N60C3 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-HBM/半桥组件 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600(V) 夹断电压:550(V) 低频跨导:1(μS) *间电容:1(pF) 低频噪声系数:1(dB) *大漏*电流:1(mA) *大耗散功率:125(mW)
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