FAIRCHILD/*童
FQP12P20
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-TPBM/三相桥
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
22
22
22
企业名:深圳市福田区宏诚辉电子商行
类型:经销商
电话: 0755-82894329
联系人:陈义雄
地址:广东深圳深圳市福田区华强电子世界2号楼21B241号
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管*性: P-Channel
电阻汲*/源* RDS(导通): 0.47 Ohms
正向跨导 gFS(*大值/*小值) : 6.4 S
汲*/源*击穿电压: - 200 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏*连续电流: 11.5 A
功率耗散: 120 W
*大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
*小工作温度: - 55 C
Standard Pack Qty: 50
*件号别名: FQP12P20_NL
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司