CHIP/小型片状
IPB042N10N3G
*肖特基势垒栅
MOS-HBM/半桥组件
INFINEON/英飞凌
MOSFET N 通道,金属氧化物
结型(JFET)
增强型
企业名:深圳市福田区宏诚辉电子商行
类型:经销商
电话: 0755-82894329
联系人:陈义雄
地址:广东深圳深圳市福田区华强电子世界2号楼21B241号
*原装场效应 MOS管 IPB042N10N3G
*原装场效应 MOS管 IPB042N10N3G
IPB042N10N3G产品规格 参数 PDF
Datasheets IPx0(42,45)N10N3 G
Standard Package 1,000
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series OptiMOS™
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 117nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 8410pF @ 50V
Power - Max 214W
Mounting T*e Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads Tab), TO-263AB
Supplier Device Package PG-TO263-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names IPB042N10N3GE8187ATMA1
SP
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司