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**FQA38N30 *童优势场效应管

**FQA38N30  *童优势场效应管
**FQA38N30  *童优势场效应管
  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FQA38N30

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    NF/音频(低频)

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

普通会员
产品分类
商品信息 更新时间:2014-10-21

**场效应管 FQA38N30  【*童优势供应】

 

**场效应管 FQA38N30  【*童优势供应】

 

FQA38N30产品规格  参数

 

数据列表 FQA38N30
 
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
 
产品变化通告 Product Discontinuation 14/Mar/2011
 
标准包装 30
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 QFET™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏*至源*电压(Vdss) 300V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 38.4A
 
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 85 毫欧 @ 19.2A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)(*大) 5V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 120nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  4400pF @ 25V
 
功率 - *大 290W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-*-3, SC-65-3
 
供应商设备封装 TO-*N
 
包装 管件
 

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