TOSHIBA/东芝
2SK2611
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
SP/*外形
ALGaAS铝镓砷
10(V)
30(V)
原厂(pF)
原厂(dB)
企业名:深圳市福田区宏诚辉电子商行
类型:经销商
电话: 0755-82894329
联系人:陈义雄
地址:广东深圳深圳市福田区华强电子世界2号楼21B241号
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管*性: N-Channel
电阻汲*/源* RDS(导通): 1.4 Ohm @ 10 V
汲*/源*击穿电压: 900 V
闸/源击穿电压: 30 V
漏*连续电流: 9 A
功率耗散: 150000 mW
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-*N
封装: Tube
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司