*号

参数名称

参数值

单位

测试条件

IT*

通态电流 平均值

75

A

TV J=TV J M

180°导通 正弦半波

IF*

正向电流 平均值

75

A

IORMS

通态电流 *值

180

A

ITSM

IFSM

浪涌电流

1550

1600

A

t=10mS TJ=45℃

t=8.3mS 100%V RRM

I2T

8000

7600

KA2S

t=10mS TJ=45℃

t=8.3mS 100%V RRM

IRRM/IDRM

断态漏电流

10

mA

TJ=125℃,门*开路

VRRM

反向重复峰值电压

800-2500

V

125℃ I RRM,I DRM=10mA

门*开路

VDRM

断态重复峰值电压

VTM

VFM

峰值通态电压

峰值正向电压

1.6

1.6

V

ITM=πIT*；IFM=πIF*

TJ=25℃ 180°导通 压接1.9V

Di/dt

通态电流上升率

150

A/μS

TJ=25℃,0.67VDRM ITM=IT*,Ig=500mA Tr<0.5μs,tp>6μs

Dv/dt

断态电压上升率

500

V/μS

TJ=125℃,0.67VDRM，门*开路

IH

维持电流

200

mA

TJ=25℃,阳*电压=6V 阻性负载，门*开路

IL

擎住电流

400

mA

TJ=25℃ 阳*电压=6V 阻性负载

PGM

门*峰值功率

120

W

TJ=TJM；IT=IT*；TP=30μS

VGT

门*触发电压

≤2

V

TJ=25℃ 阳*电压=6V 阻性负载

IGT

门*触发电流

≤100

mA

VISO

*缘电压

2500

V

50HZ电路对基板，接线端短接。T=1s

TJ

工作结温

-40 to 125

℃

℃

Tstg

储存温度

RthJC

结壳热阻

0.11

K/W

每个模块，直流

RthJCS

接触热阻 基板—

散热器

0.07

K/W

涂导热硅脂