*号

参数名称

参数值

单位

测试条件

I_T*

通态电流 平均值

160

A

T_{V J}=T_{V J M}

180°导通 正弦半波

I_F*

正向电流 平均值

160

A

I_ORMS

通态电流 *值

355

A

I_TSM

I_FSM

浪涌电流

4750

5000

A

t=10mS T_J=45℃

t=8.3mS 100%V_RRM

I²T

113

103

KA²S

t=10mS T_J=45℃

t=8.3mS 100%V_RRM

I_RRM/I_DRM

断态漏电流

10

mA

T_J=125℃,门*开路

V_RRM

反向重复峰值电压

800-2500

V

125℃IRRM,IDRM=10mA

门*开路

V_DRM

断态重复峰值电压

V_TM

V_FM

峰值通态电压

峰值正向电压

1.6

1.6

V

I_TM=πI_T*；I_FM=πI_F*

T_J=25℃180°导通 压接1.9V

Di/dt

通态电流上升率

150

A/μS

T_J=25℃,0.67V_DRMI_TM=I_T*,I_g=500mA Tr<0.5μs,t_p>6μs

Dv/dt

断态电压上升率

500

V/μS

T_J=125℃,0.67VDRM_，门*开路

I_H

维持电流

200

mA

T_J=25℃,阳*电压=6V 阻性负载，门*开路

I_L

擎住电流

400

mA

T_J=25℃阳*电压=6V 阻性负载

P_GM

门*峰值功率

120

W

T_J=T_JM；I_T=I_T*；T_P=30μS

V_GT

门*触发电压

≤2

V

T_J=25℃阳*电压=6V 阻性负载

I_GT

门*触发电流

≤100

mA

V_ISO

*缘电压

2500

V

50H_Z电路对基板，接线端短接。T=1s

T_J

工作结温

-40 to 125

℃

℃

T_stg

储存温度

R_thJC

结壳热阻

0.11

K/W

每个模块，直流

R_thJCS

接触热阻基板—

散热器

0.07

K/W

涂导热硅脂

*号

测试条件

参数值

单位

I_D*M

T_C=100℃，（模块）

160

A

I_FSM

T_VJ=45℃ t=10ms(50Hz),正弦

VR=0 t=8.3ms(60Hz),正弦

150

160

A

A

T_VJ=T_VJM t=10ms(50Hz),正弦

VR=0 t=8.3ms(60Hz),正弦

1350

1500

A

A

I²t

T_VJ=45℃t=10ms(50Hz),正弦

VR=0 t=8.3ms(60Hz),正弦

11250

11300

A²s

A²s

T_VJ=T_VJMt=10ms(50Hz),正弦

VR=0 t=8.3ms(60Hz),正弦

9120

9350

A²s

A²s

T_VJT_Stg

-40~+150

℃

V_ISOL

50/60Hz,RMS t=1min

2500

V~

Md

安装扭矩(M5)

连接端子扭矩（M5）

5&plu*n;15%

5&plu*n;15%

N.m

N.m

I_R

V_R=V_RRM,T_VJ=25℃

V_R=V_RRM,T_VJ= T_VJM

≤1

≤5

mA

mA

V_F

I_F=150A, T_VJ=25℃

≤1.60

V

V_TO

R_T

*用于功率损失计算

T_VJ= T_VJM

0.8

5

V

mΩ

R_thJC

每个二*管直流模块

0.83

0.138

K/W

K/W

R_thJK

每个二*管直流模块

1.13

0.188

K/W

K/W

D_S

D_A

A

表面爬电距离

空气中爬电距离

*大的加速度

10.00

9.40

50

Mm

Mm

m/S²