| 品牌/商标 | PHI荷兰飞利浦 | 型号/规格 | HEF4021BT |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | D-G双栅四* |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | GE-P-FET锗P沟道 |
| 开启电压 | 100（V） | 夹断电压 | 100（V） |
| 低频跨导 | 100（μS） | *间电容 | 100（pF） |
| 低频噪声系数 | 100（dB） | *大漏*电流 | 100（mA） |
| *大耗散功率 | 100（mW） |
型 号： HEF4021BT
厂 商： Philips Semiconductors
描 述： 8-bit static shift register
中文描述： 8位静态移位寄存器
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