∟ MOSFET(1)
品牌:无锡芯朋微电子 型号:AP50N06 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
应用领域
l 直流马达控制
l 螺线管和继电器驱动
l DC-DC转换器
l 自动控制系统
优点
l 易于装配
l 节省空间
l 高功率密度
主要特性
l 典型Rds(on) = 18mΩ
l *高的dv/dt性能
l 100%雪崩测试
l 低内部寄生电容
*限参数
Symbol | Parameter | Value | Units |
VDSS | 漏源*电压 | 60 | V |
ID | 50 | A | |
IDM | 脉冲漏*电流 | 150 | A |
VGS | 栅源*电压 | &plu*n;20 | V |
EAS | 单脉冲雪崩能量 | 160 | mJ |
IAR | 雪崩电流 | 50 | A |
PD | 总功率散耗(TJ= 25°C) | 131 | W |
温度因子 | 0.88 | W/°C | |
TSTGTJ | 工作结温及存储温度 | -55~+175 | °C |
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