品牌:INFINEON 英飞凌 型号:SPA02N80C3 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-TPBM/三相桥 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GaAS-FET砷化镓
Feature
• New revolutionary high voltage technology
• Ultra low gate charge
• Periodic avalanche rated
• Extreme dv/dt rated
• P-TO-220-3-31: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司