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场效应管 MTD1N80E MTD1N80 T1N80E

场效应管 MTD1N80E MTD1N80 T1N80E

场效应管 MTD1N80E MTD1N80 T1N80E

漏*电流：
1A
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
型号/规格：
MTD1N80E,MOS,800V,1A,12Ω,252
材料：
N-FET硅N沟道
品牌/商标：
0N/安森美
沟道类型：
N沟道
种类：
*缘栅(MOSFET)
夹断电压：
20
导电方式：
增强型
*间电容：
420

发布询价信息

普通会员

企业名：深圳市金城微零件有限公司

类型：经销商

电话： 0755-83683996

联系人：钟丽华

QQ：

邮箱：2355799088@qq.com

地址：广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E（上海宾馆后面）门市1部：深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室门市2部：深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室

产品分类

电源IC(9)
∟ 稳压IC(9)
二极管(315)
∟ 稳压二极管(1)∟ 开关二极管(1)∟ 变容二极管(2)∟ 快/超快/特快恢复二极管(170)∟ 肖特基二极管(141)
三极管(57)
∟ 贴片/片式/SMD三极管(1)∟ 功率三极管(33)∟ 开关三极管(6)∟ 低噪声三极管(3)∟ 复合(达林顿)三极管(10)∟ 其他三极管(3)
场效应管MOSFET(2031)
∟ MOSFET(1893)∟ 结型场效应管(2)∟ 其他场效应管模块(3)
可控硅IGBT(48)
∟ 单向可控硅(晶闸管)(20)∟ 双向可控硅(晶闸管)(26)
电源/稳压器(6)
∟ 模块电源/电源模块(4)
传感器(1)
∟ 霍尔传感器(1)
LED(1)
∟ 其它LED相关产品（服务）(1)

新品上架

商品信息 更新时间：2013-01-14

产品型号:MTD1N80E

封装:SOT-252

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):800

夹断电压VGS(V): 20/-20

*大漏*电流Id(A):1

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):12 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):48

*间电容Ciss(PF):297

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：0.985

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):20

温度(℃): -55 ~150

描述:800V,1A N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate

如需了解更多的产品信息:
1、直接与我司工作人员联系!
2、登陆我站:https://www.chinajincheng.com
3、:4006262666
4、Q
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)

联系方式

企业名：深圳市金城微零件有限公司

类型：经销商

电话： 0755-83683996

联系人：钟丽华

QQ：

邮箱：2355799088@qq.com

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