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场效应管 CMD2N60,CMD1N60,1N60,2N60

场效应管 CMD2N60,CMD1N60,1N60,2N60

场效应管 CMD2N60,CMD1N60,1N60,2N60

封装外形：
SMD(SO)/表面封装
型号/规格：
CMD2N60,SOT-252,SMD/MOS,N场,600V,2A,5Ω
材料：
N-FET硅N沟道
用途：
S/开关
品牌/商标：
Cmosfet
沟道类型：
N沟道
种类：
*缘栅(MOSFET)
导电方式：
增强型

发布询价信息

普通会员

企业名：深圳市金城微零件有限公司

类型：经销商

电话： 0755-83683996

联系人：钟丽华

QQ：

邮箱：2355799088@qq.com

地址：广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E（上海宾馆后面）门市1部：深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室门市2部：深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室

产品分类

电源IC(9)
∟ 稳压IC(9)
二极管(315)
∟ 稳压二极管(1)∟ 开关二极管(1)∟ 变容二极管(2)∟ 快/超快/特快恢复二极管(170)∟ 肖特基二极管(141)
三极管(57)
∟ 贴片/片式/SMD三极管(1)∟ 功率三极管(33)∟ 开关三极管(6)∟ 低噪声三极管(3)∟ 复合(达林顿)三极管(10)∟ 其他三极管(3)
场效应管MOSFET(2031)
∟ MOSFET(1893)∟ 结型场效应管(2)∟ 其他场效应管模块(3)
可控硅IGBT(48)
∟ 单向可控硅(晶闸管)(20)∟ 双向可控硅(晶闸管)(26)
电源/稳压器(6)
∟ 模块电源/电源模块(4)
传感器(1)
∟ 霍尔传感器(1)
LED(1)
∟ 其它LED相关产品（服务）(1)

新品上架

商品信息 更新时间：2013-01-21

产品型号:CMD2N60

封装:SOT-252

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):&plu*n;30

*大漏*电流Id(A):2

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):5 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):45

输入电容Ciss(PF):220 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：5

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):120

温度(℃): -55 ~150

描述:600V,2A N-沟道增强型场效应晶体管

General Description(概述)

该2n60已采用*的高电压晶体管的过程，目的是提供高水平的性能和稳定性在流行的交直流应用。

Features(特点)

2.0A，600V，RDS（ON）= 5Ω@ VGS= 10V
快速开关
100％雪崩测试
*的dv/dt能力

APPLICATIONS(应用)

电源供应器

功率因数校正

大电流，*开关

"

联系方式

企业名：深圳市金城微零件有限公司

类型：经销商

电话： 0755-83683996

联系人：钟丽华

QQ：

邮箱：2355799088@qq.com

地址：广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E（上海宾馆后面）门市1部：深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室门市2部：深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室

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